IPW65R110CFDA
IPW65R110CFDA屬性
- 0
- TO-247
- 0
- INFINEON/英飛凌
IPW65R110CFDA描述
參數名稱 參數值
Source Content uid IPW65R110CFDA
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1205102588
零件包裝代碼 TO-247
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 6.74
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2020-11-30 19:47:12
YTEOL 6.5
其他特性 HIGH RELIABILITY
雪崩能效等級(Eas) 845 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 650 V
最大漏極電流 (ID) 31.2 A
最大漏源導通電阻 0.11 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 99.6 A
參考標準 AEC-Q101
表面貼裝 NO
端子面層 TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON