IPB120N04S4-02

IPB120N04S4-02屬性

---

IPB120N04S4-02描述

參數名稱 參數值
Source Content uid IPB120N04S4-02
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1868839719
零件包裝代碼 D2PAK
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數 4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 7.67
Samacsys Description Infineon IPB120N04S4-02 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin TO-263
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2020-11-30 19:47:12
YTEOL 5.62
雪崩能效等級（Eas） 480 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 120 A
最大漏極電流 (ID) 120 A
最大漏源導通電阻 0.0018 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263AB
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 245
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 158 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 480 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶體管元件材料 SILICON

---

IPB120N04S4-02相關產品