BSS138NH6327

BSS138NH6327屬性

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BSS138NH6327描述

參數名稱 參數值
Source Content uid BSS138NH6327
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1017224003
包裝說明 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
針數 3
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Austria, Mainland China
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.21.00.95
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風險等級 1.47
Samacsys Description Infineon,Trans BSS138NH6327 Infineon BSS138NH6327 N-channel MOSFET Transistor, 0.23 A, 60 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.5
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 0.23 A
最大漏極電流 (ID) 0.23 A
最大漏源導通電阻 3.5 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 3.8 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
功耗環境最大值 0.36 W
最大功率耗散 (Abs) 0.36 W
認證狀態 Not Qualified
參考標準 AEC-Q101; IEC-61249-2-21
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管元件材料 SILICON

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