BSC600N25NS3G

BSC600N25NS3G屬性

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BSC600N25NS3G描述

參數名稱 參數值
Source Content uid BSC600N25NS3G
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1748429303
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
針數 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
風險等級 7.71
Samacsys Description Infineon BSC600N25NS3G N-channel MOSFET Transistor, 25 A, 250 V, 8-Pin TDSON
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2020-11-30 19:47:12
YTEOL 6.12
雪崩能效等級（Eas） 210 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 250 V
最大漏極電流 (ID) 25 A
最大漏源導通電阻 0.06 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 3 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 100 A
認證狀態 Not Qualified
參考標準 IEC-61249-2-21
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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