IR全新HEXFET功率MOSFET系列
發布時間:2010/7/22 11:00:16 訪問次數:625
新款sot-23 mosfet 器件采用ir最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% rds(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優化了性能及價格。
- 51電子網公益庫存:
- M27256-12FI
- MC100EP446FAR2G
- MC100HLT25
- MX29LV320BXBC-90
- MX29LV040QC-55R
- MX29LV040QC-55R
- N5116258HT50
- N51236PW-200TQTR-LF
- NS32GX32AVUL-25
- OP-005-LF
- OP470GP-LF
- AY0438/L-LF
ir 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“這個全新的sot-23 mosfet系列支持從 -30v至100v的寬電壓范圍，并提供不同水平的 rds(on) 和柵極電荷 (qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇。”
新器件達到第一級潮濕敏感度 (msl1) 業界標準，所采用的材料不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (rohs) 。
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (international rectifier) 推出全新hexfet功率mosfet系列。該器件采用業界標準sot-23封裝，具有超低導通電阻 (rds(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。
新款sot-23 mosfet 器件采用ir最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% rds(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優化了性能及價格。
- 51電子網公益庫存:
- M27256-12FI
- MC100EP446FAR2G
- MC100HLT25
- MX29LV320BXBC-90
- MX29LV040QC-55R
- MX29LV040QC-55R
- N5116258HT50
- N51236PW-200TQTR-LF
- NS32GX32AVUL-25
- OP-005-LF
- OP470GP-LF
- AY0438/L-LF
ir 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“這個全新的sot-23 mosfet系列支持從 -30v至100v的寬電壓范圍，并提供不同水平的 rds(on) 和柵極電荷 (qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇。”
新器件達到第一級潮濕敏感度 (msl1) 業界標準，所采用的材料不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (rohs) 。
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (international rectifier) 推出全新hexfet功率mosfet系列。該器件采用業界標準sot-23封裝，具有超低導通電阻 (rds(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。
相關電子資訊- 11-30OT與IT數據集成數字化建設新模式
- 11-30 TVS二極管選擇分類低壓降與保護簡述
- 11-30高性能GPU嵌入式工控機結構工作原理詳解
- 11-30新型車規級表面貼裝厚膜功率電阻器
- 11-30高壓并聯電容器的原理、特點、結構、技術參數
- 11-30繞線電阻器的特性與應用全新解析
- 11-30貼片電阻電極脫落的原因探究
- 11-30BT 模塊 SWB-A31技術參數及應用
- 11-29高性能四核應用處理器（MPU）結構技術及應用需求
- 11-29雙通道任意波形發生器系列參數封裝設計結構
- 11-29射頻隔直器的技術結構參數與應用研究
- 11-29F28P55X系列產品的特性參數及關鍵技術概述
公網安備44030402000607
