意法半導體（stmicroelectronics，簡稱st；紐約證券交易所代碼：stm）的新系列功率mosfet讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性和安全系數。mdmeshtm k5產品是世界首款兼備超結技術優點與1500v漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。

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IRFR9024NTR

IRFR5035PBF

IRFR420TRPBF

IRFR420TR

IRFR220NPBF

IRFR120NTR

KA5L0380R

LM2904

LTV817

LPC2377FBD144

LTV357

LTV814

新產品瞄準計算機服務器及工業自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自動化等工業自動化應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75w至230w之間或更高，超結mosfet技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的最佳選擇。

意法半導體的mdmesh k5功率mosfet系列將此項技術提升至一個全新的水平，單位面積同態電阻（rds(on)）和柵電荷量（qg）均創市場最低，并擁有業界最佳的fom（質量因數）[1]。新產品是時下主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振（quasi-resonant）有源鉗位反激式轉換器以及llc[2]半橋式轉換器，均需要寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200w的電源。

該系列先推出的兩款產品是stw12n150k5和stw21n150k5，其最大漏源電流分別達到7a和14a，柵電荷量僅為47nc（stw12n150k5）或通態電阻僅為0.9Ω（stw21n150k5）。兩款產品均已量產，采用to-247封裝。http://jcd02.51dzw.com/

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[1]質量因數（fom, figure of merit）是柵電荷量乘以通態電阻。這個參數對電源設計人員來說越小越好。

[2] llc指“兩個電感和一個電容”，是一個寬壓ac輸入高能效（95%+）的ac-dc轉換器拓撲。