高壓MOSFET系列提供低開關選項
發布時間:2016/4/5 15:16:55 訪問次數:317
面向開關穩壓器設計的高速高壓mosfet現在可以通過toshiba electronics europe購買。這4款n溝道器件的額定電壓為800和900v，典型導通電阻（rds(on)）低至1.9Ω。
- 51電子網公益庫存:
- IRFZ46NPBF
- IRFZ46N
- IRFZ44ZPBF
- IRFZ44VPBF
- IRFZ44RPBF
- IRFZ44NPBF
- IRFZ34NPBF
- IRFZ34N
- IRFZ24NPBF
- IRFU9120
- IRFU430A
- IRFU220NPBF
增強模式mosfet基于公司的πmos viii（pi-mos-8）第八代平面半導體工藝，整合了高水平單元集成和優化單元設計。該技術支持降低柵極電荷和電容，而不會犧牲rds(on) 低的優勢。
這些mosfet是dtmos iv 800v超結dtmos4器件的低電流補充。2.5a tk3a90e和4.5a tk5a90e的vdss額定值為900v，典型rds(on)分別為3.7Ω和2.5Ω。4.0a tk4a80e和5.0a tk5a80e器件的vdss額定值均為800v，典型rds(on)分別為2.8Ω和1.9Ω。最大漏電流很低，僅10μa（vds = 60v），柵極閾值電壓范圍為2.5~4.0v（在vds為10v和漏極電流為0.4ma時）。所有器件均采用標準to-220sis封裝。http://thwy01.51dzw.com/
目標應用包括led照明中的反激變換器、輔助電源和其它要求電流開關低于5a的電路。
面向開關穩壓器設計的高速高壓mosfet現在可以通過toshiba electronics europe購買。這4款n溝道器件的額定電壓為800和900v，典型導通電阻（rds(on)）低至1.9Ω。
- 51電子網公益庫存:
- IRFZ46NPBF
- IRFZ46N
- IRFZ44ZPBF
- IRFZ44VPBF
- IRFZ44RPBF
- IRFZ44NPBF
- IRFZ34NPBF
- IRFZ34N
- IRFZ24NPBF
- IRFU9120
- IRFU430A
- IRFU220NPBF
增強模式mosfet基于公司的πmos viii（pi-mos-8）第八代平面半導體工藝，整合了高水平單元集成和優化單元設計。該技術支持降低柵極電荷和電容，而不會犧牲rds(on) 低的優勢。
這些mosfet是dtmos iv 800v超結dtmos4器件的低電流補充。2.5a tk3a90e和4.5a tk5a90e的vdss額定值為900v，典型rds(on)分別為3.7Ω和2.5Ω。4.0a tk4a80e和5.0a tk5a80e器件的vdss額定值均為800v，典型rds(on)分別為2.8Ω和1.9Ω。最大漏電流很低，僅10μa（vds = 60v），柵極閾值電壓范圍為2.5~4.0v（在vds為10v和漏極電流為0.4ma時）。所有器件均采用標準to-220sis封裝。http://thwy01.51dzw.com/
目標應用包括led照明中的反激變換器、輔助電源和其它要求電流開關低于5a的電路。
相關電子資訊- 11-26新型電流傳感器芯片無磁芯技術封裝參數
- 11-26ModusToolbox電機套件性能設計
- 11-26IGBT 7 功率器件組合技術參數封裝關鍵構件
- 11-26GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash
- 11-26全新PFS35 系列高功率厚膜電阻
- 11-26全新電池儲能系統 (BESS)技術參數應用封裝
- 11-2660 V N通道SGT-MOSFETs
- 11-26薄膜電容的原理與特點
- 11-26標準電阻的保存與維護技巧分析
- 11-26射頻隔直器的工作原理技術參數應用
- 11-25第2代音頻DAC芯片MUS－IC系列信
- 11-25電荷放大器頻率技術結構參數及應用范圍
公網安備44030402000607
