mram的技術在學理上存取速度將超越dram達到接近sram，且斷電后資料不流失，早期由everspin公司開發，被視為下世代存儲器技術的重要的競爭者。2017年是mram技術爆發的一年，當年在日本舉辦的大型集成電路技術、系統和應用國際研討會，格羅方德與 everspin公司共同發布有抗熱消磁emran技術，具能夠讓資料在攝氏150度下保存資料，可長達十數年的22納米制程的制程技術，預計2017年底、2018年投產。

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而曾經投入存儲器研發生產，但卻不敵成本高昂而退出存儲器市場的臺積電，在2017年臺積電技術論壇中，揭露已具備22納米制程嵌入式磁阻式存儲器(emram)的生產技術，預定2018年試產。

rram其優點是消耗電力較nand低，且寫入資訊速度比nand快閃存儲器快1萬倍，主要投入研究的廠商有美光、sony、三星。

臺積電也已宣布具備生產22納米erram技術。3d xpoint技術的主要廠商為英特爾與美光，采用多層線路構成的三維結構，并采用柵狀電線電阻來表示0和1，原理類似rram。http://pinhui668.51dzw.com/

為儲存裝置的良好的替代品，具有比nand快閃存儲器快了近1,000倍，也可用于運算速度要求低的計算應用。

stt-mram是運用量子力學的電子自旋角動量的技術應用，具有dram和sram的高性能且低功耗，并相容現有的cmos制造技術與制程。

目前主要投入廠商有ibm與三星、sk海力士和東芝，其中ibm和三星在ieee發布研究論文表示，已成功實現10奈秒的傳輸速度和超省電架構。

盡管下世代存儲器未來有望取代部分dram與nand快閃存儲器的市場，甚至取代舊有技術。但是筆者認為，隨著人工智能、物聯網設備與更多的資料收集與傳感需求，下世代的存儲器技術首先將著眼于以新應用的需求為主，如臺積電鎖定的嵌入式存儲器，并充分發揮運算與儲存二合一的優勢，進一步微縮大小，達到元件更高的市場滲透率。

但是若從廠商動態來看，22納米的emram技術將于2018年年后逐漸成熟，并開始有大量的市場應用。

隨著移動設備、物聯網應用的興起，對于節能的資料儲存與存儲器技術需求日益增加。目前的存儲器技術以dram與nand快閃存儲器為主流，但dram的讀寫速度快無法長時間儲存資料;nand flash能保存資料，但讀寫速度不佳。

同時兼具運算、儲存能力的下世代存儲器，如磁阻式存儲器(mram)、電阻式存儲器(rram)、3d xpoint技術與高潛力的自旋電子磁性存儲器(stt-mram)等，就成為下世代存儲器技術的新寵兒。http://pinhui668.51dzw.com/

文章來源：臺灣經濟日報

注：本文作者為臺灣地區實驗研究院科技政策研究與資訊中心研究員王宣智