lm1889為+uds,溝道區的電位差則從靠源端的零電位逐漸升高到靠近漏端的vds。

由于n溝道的電位從源端到漏端是逐漸升高的,所以在從源端到漏端的不同位置上,柵極與溝道之間的電位差是不相等的,離源極愈遠,電位差愈大,加到該處pn結的反向電壓也愈大,耗盡層也愈向n型半導體中心擴展,使靠近漏極處的導電溝道比靠近源極要窄,導電溝道呈楔形,如圖5.3.4a所示。所以從這方面來說,增加ods,又產生了阻礙漏極電流jd提高的因素。但在ods較小時,導電溝道靠近漏端區域仍較寬,這時阻礙的因素是次要的,故id隨vds升高幾乎成正比地增大,構成如圖5.3.5a所示,輸出特性曲線的上升段,fd迅速增大,jd趨于飽和.

id飽和圖5.3.4 改變uds時jfet導電溝道的變化

(a)ocs=0,ods<|u|時的情況

(b)vos=0,vds=|yp|時的情況

(c)vgs=0,vds>|yp|時的情況

耗盡層場效應管放大電路,jfet的特性曲線及參數,輸出特性,圖5.3.5b所示為一n溝道jfet的輸出特性。圖中管子的工作情況仍可個區域,現分別加以討論。

i區為截止區(夾斷區)時,ogs<yp,id=0。Ⅱ區為可變電阻區(線性區)

u(vcs≤0,vds≤″gs-ui時,則n溝道jfet工作在可變電阻區,其7-r特性可表示為id=kn[2(v gs-7p)ds-us]

Ⅲ區為飽和區(放大區)

當7p<vcs≤0,ti)s)vgs-ui時,jfet工作在飽和區,此時(⒌3.2)

式中kn=rru/s。如果考慮溝道調制效應(即入≠0)。則上式應修正為

jd=kn(us-7p)z=rdss(1-ui)

dss(1-i)(1+uds)

轉移特性,jfet的轉移特性同樣可以直接從輸出特性上用作圖法求出。

圖5.3.6所示為一族典型的轉移特性曲線。由圖可看出,當v ds大于某一定的數值后(例如5Ⅴ),不同us的轉移特性曲線是很接近的,這時可認為轉移特性重合為一曲線,使分析得到簡化。

此外,只要已知rdss和uo,轉移特性曲線也可由式(5.3.3)繪出。

主要參數jfet的主要參數與耗盡型mosfet相似,這里不再贅述。

0ds=20v=10v(⒌3.4)

圖5.3.6 n溝道jfet轉移特性,場效應管放大電路.

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