IH5352MJE/883B FET用在高頻或脈沖電路
發布時間:2020/1/31 16:04:03 訪問次數:3999
ih5352mje/883b當vds繼續增加,使漏柵間的電位差加大,靠近漏端電位差最大,耗盡層也最寬。當兩耗盡層在a點相遇時(圖5.3.4b),稱為預夾斷,此時,a點耗盡層兩邊的電位差用夾斷電壓7p來描述c由于v cs=0,故有ucd=-0ds=ui。
當田cs≠0時,在預夾斷點a處yp與us、ui)s之間有如下關系:
ud=rgs,uds=yp (5.3.1)
圖5.3.4b相當于圖5.3.5a中id達到了飽和漏極電流jdss時的溝道情況。
溝道一旦在a點預夾斷后,隨著tdb上升,夾斷長度會有增加,亦即a點將向源極方向延伸。但由于夾斷處場強也增高,仍能將電子拉過夾斷區(實即耗盡層),形成漏極電流,這與e型mosfet在漏端夾斷時,仍能把感應溝道中的電子拉向漏極是相似的c在從源極到夾斷處的溝道上,溝道內電場基本上不隨us改變而變化。所以,jd基本上不隨ods增加而上升,漏極電流趨于飽和。
如果fet柵極與源極間接一可調負電源,由于柵源電壓愈負,耗盡層愈寬,溝道電阻就愈大,相應的fd就愈小。因此,改變柵源電壓rcs可得一族曲線,如圖5.3.5b所示。由于每個管子的7p為一定值,因此,從式(5.3,1)可知,預夾斷點隨?gs改變而變化,它在輸出特性上的軌跡如圖5.3.5b中左邊虛線所示。
fd/maj預夾斷軌跡ii區田cd=ucs-jdssvos-0
iilvcs=0v預夾斷點-0.4-0.8vds=/p預夾斷
圖5.3.5 n溝道jfet的輸出特性
(a)us=0時 (b)柵源電壓pcs改變時,綜上分析,可得下述結論:
jfet柵極、溝道之間的pn結是反向偏置的,因此,其0c≈0,輸入電阻的阻值很高。
jfet是電壓控制電流器件,jd受vcs控制。
預夾斷前,jd與vds呈近似線性關系;預夾斷后,藝d趨于飽和。p溝道jfet工作時,其電源極性與n溝道jfet的電源極性相反。
結型場效應管,jfet放大電路的小信號模型分析法.
jfet的小信號模型,在5.1和5.2節中討論了mosfet的互導gm和輸出電阻rds,并且導出了它的低頻小信號模型,如圖5.2.6b、c所示。同樣,作為雙口器件的jfet(圖5.3.7a),也可導出其小信號模型如圖5.3.7b所示。由于jfet為電壓控制器件,其柵源間的電阻rgs的阻值很大,因此圖b中將柵源間近似看成開路。
當fet用在高頻或脈沖電路時,極間電容的影響不能忽略,這時jfet需用高頻模型(圖5.3.7c)來表示。
圖5.3.7 fet的小信號模型(a)fet在共源接法時的雙口網絡 (b)低頻模型 (c)高頻模型
應用小信號模型法分析jfet放大電路,現在應用小信號模型來分析如圖5.3.8a所示的共源電路。
圖5.3.8a所盡冉路的小信號等效電路如圖5.3.8b所示,圖中rds通常在幾百千歐的數量終,一般負載電阻比rds小很多,故此時可以近似認為rds開路。
電壓增益vi =vgs+gmvgsr =vgs(1+gmr)
v0=-gm=gsrd
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ih5352mje/883b當vds繼續增加,使漏柵間的電位差加大,靠近漏端電位差最大,耗盡層也最寬。當兩耗盡層在a點相遇時(圖5.3.4b),稱為預夾斷,此時,a點耗盡層兩邊的電位差用夾斷電壓7p來描述c由于v cs=0,故有ucd=-0ds=ui。
當田cs≠0時,在預夾斷點a處yp與us、ui)s之間有如下關系:
ud=rgs,uds=yp (5.3.1)
圖5.3.4b相當于圖5.3.5a中id達到了飽和漏極電流jdss時的溝道情況。
溝道一旦在a點預夾斷后,隨著tdb上升,夾斷長度會有增加,亦即a點將向源極方向延伸。但由于夾斷處場強也增高,仍能將電子拉過夾斷區(實即耗盡層),形成漏極電流,這與e型mosfet在漏端夾斷時,仍能把感應溝道中的電子拉向漏極是相似的c在從源極到夾斷處的溝道上,溝道內電場基本上不隨us改變而變化。所以,jd基本上不隨ods增加而上升,漏極電流趨于飽和。
如果fet柵極與源極間接一可調負電源,由于柵源電壓愈負,耗盡層愈寬,溝道電阻就愈大,相應的fd就愈小。因此,改變柵源電壓rcs可得一族曲線,如圖5.3.5b所示。由于每個管子的7p為一定值,因此,從式(5.3,1)可知,預夾斷點隨?gs改變而變化,它在輸出特性上的軌跡如圖5.3.5b中左邊虛線所示。
fd/maj預夾斷軌跡ii區田cd=ucs-jdssvos-0
iilvcs=0v預夾斷點-0.4-0.8vds=/p預夾斷
圖5.3.5 n溝道jfet的輸出特性
(a)us=0時 (b)柵源電壓pcs改變時,綜上分析,可得下述結論:
jfet柵極、溝道之間的pn結是反向偏置的,因此,其0c≈0,輸入電阻的阻值很高。
jfet是電壓控制電流器件,jd受vcs控制。
預夾斷前,jd與vds呈近似線性關系;預夾斷后,藝d趨于飽和。p溝道jfet工作時,其電源極性與n溝道jfet的電源極性相反。
結型場效應管,jfet放大電路的小信號模型分析法.
jfet的小信號模型,在5.1和5.2節中討論了mosfet的互導gm和輸出電阻rds,并且導出了它的低頻小信號模型,如圖5.2.6b、c所示。同樣,作為雙口器件的jfet(圖5.3.7a),也可導出其小信號模型如圖5.3.7b所示。由于jfet為電壓控制器件,其柵源間的電阻rgs的阻值很大,因此圖b中將柵源間近似看成開路。
當fet用在高頻或脈沖電路時,極間電容的影響不能忽略,這時jfet需用高頻模型(圖5.3.7c)來表示。
圖5.3.7 fet的小信號模型(a)fet在共源接法時的雙口網絡 (b)低頻模型 (c)高頻模型
應用小信號模型法分析jfet放大電路,現在應用小信號模型來分析如圖5.3.8a所示的共源電路。
圖5.3.8a所盡冉路的小信號等效電路如圖5.3.8b所示,圖中rds通常在幾百千歐的數量終,一般負載電阻比rds小很多,故此時可以近似認為rds開路。
電壓增益vi =vgs+gmvgsr =vgs(1+gmr)
v0=-gm=gsrd
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