型號：IRF7233TRPBF

品牌：IR
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：9.5A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫歐 @ 9.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：74nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：6000pF @ 10V
功率 - 最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRF7233PBFTRIRF7233TRPBF-NDIRF7233TRPBFTR-ND
標準包裝：4,000
批號：2014+
數量：25600
單價：面議
備注：深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列產品，授權分銷，大量原裝庫存
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描述
從國際整流器這些P溝道MOSFET利用先進的加工技術，實現了極低的導通電阻每硅片面積。
這樣做的好處為設計者提供了一個非常有效的裝置在電池和負載管理應用程序使用。采用SO-8
已經通過定制進行了修改引線框架用于增強熱性能和多模能力，因此非常適合于各種功率應用程序。
有了這些改進，多個設備可以在應用程序中使用顯著地減少電路板空間。該軟件包是專為氣相，紅外
線或波峰焊技術。


特點
超低導通電阻
P溝道MOSFET
表面貼裝

可在磁帶卷&