型號：IRF7311TRPBF
品牌：IR
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：6.6A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫歐 @ 6A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：900pF @ 15V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRF7311PBFTR
標準包裝：4,000
批號：2014+
數量：25600
單價：面議
備注：深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列產品，授權分銷，大量原裝庫存
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描述
IRF7311TRPBF國際整流器第五代HEXFETs利用先進的加工技術，以實現盡可能低的導通電阻每硅片面積。這益處，
結合快速開關速度和加固裝置的設計HEXFET功率MOSFET是眾所周知的，為設計者提供了一個極其
有效的裝置，用于在各種各樣的應用中使用。


采用SO-8已經通過定制的引線框架，可增強被修改熱特性和多模能力使它成為理想的各種電源應用。
有了這些改進，多個設備可被用有顯著減少電路板空間的應用程序。包裝設計為氣相，紅外，或波峰
焊技術。功率耗散大于0.8W能夠在典型的印刷電路板安裝的應用程序。


特點
第五代技術
超低導通電阻雙
N溝道MOSFET
表面貼裝
可在磁帶卷&
動態的dv / dt額定值
快速開關


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