數據列表LM4040B50IDCKR
產品培訓模塊 Selecting Voltage References
制造商產品頁 LM4040B50IDCKR Specifications
標準包裝 ? 3,000
類別 集成電路 (IC)
家庭 PMIC - 電壓基準
系列 -
包裝 ? 帶卷 （TR） ?
參考類型 分流器
輸出類型 固定
電壓 - 輸出（最小值/固定） 5V
電壓 - 輸出（最大值） -
電流 - 輸出 15mA
容差 ±0.2%
溫度系數 100ppm/°C
噪聲 - 0.1Hz 至 10Hz -
噪聲 - 10Hz 至 10Hz 80μVrms
電壓 - 輸入 -
電流 - 電源 -
電流 - 陰極 95μA
工作溫度 -40°C ~ 85°C （TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 5-TSSOP， SC-70-5， SOT-353
供應商器件封裝 SC-70-5
其它名稱 296-20879-2
LM4040B50IDCKRE4
LM4040B50IDCKRE4-ND
LM4040B50IDCKRG4
LM4040B50IDCKRG4-ND
在去年揭曉包含Snapdragon 810在內的處理器系列后，Qualcomm預期將在MWC 2015展期前后揭曉新一波處理器產品，并且全面進入64位元架構設計。相關消息指出，Qualcomm預計在今年分別更新Snapdragon 600系列與800系列，分別推出Snapdragon 616、620、625與629等中階主流款處理器，同時也將加入以14nm制程與全新自有Taipan架構制作的高階款處理器Snapdragon 820。
相關消息表示，Qualcomm預計在今年LM4040B50IDCKR更新Snapdragon 600系列與800系列處理器，并且全面進入64位元架構設計，至于入門款400系列則暫時還沒有更新動態傳出。在600系列中，Qualcomm將新增Snapdragon 616、620、625與629等中階主流款處理器，而高階款除將推出Snapdragon 815之外，也將加入以14nm制程設計 (注)的高階款處理器Snapdragon 820，并且將采用Qualcomm全新自有八核心Taipan架構設計，而不會使用ARM提供big.LITTLE大小核心架構設計。
在Snapdragon 616部分，預期采用八組ARM Cortex-A53核心架構組成，并且整合Adreno 408 GPU，運作時脈將在1.8-2.2GHz，連網部分將整合LTE-A Cat.6技術，并且以中芯國際 (SMIC)28nm HKMG制程技術制作。
而Snapdragon 620、625、629部分，則將采用Qualcomm全新自有Taipan架構，并且以三星或Global Foundries 20nm HKMG制程技術生產，其中僅Snapdragon 620為四核心設計，包含625、629均為八核心設計，三款處理器均整合Qualcomm MDM9X45 LTE-A Cat.10全模數據晶片。至于GPU部分，Snapdragon 620、625將整合Adreno 418，支援LPDDR3 933雙通道記憶體，而629則整合Adreno 430，并且支援LPDDR4 1600雙通道記憶體。
至于接續Snapdragon 810的Snapdragon 815，產品設定將以Nvidia Tegra X1為競爭對手，架構上仍采用ARM big.LITTLE架構設計，但將導入Qualcomm自有Taipan核心架構，并且整合Adreno 450 GPU，以及對應LPDDR4 1600雙通道記憶體，同樣由三星或Global Foundries 20nm HKMG制程技術生產。不過，Snapdragon 815并未如Snapdragon 810處理器整合基頻數據晶片，而必須額外配置。
預計今年年底之后才會導入市售產品的Snapdragon 820 (8996)部分，則將采用八核心、Qualcomm自有Taipan核心架構設計，并且整合Adreno 530 GPU與支援LPDDR4雙通道記憶體，同時也將嵌入MDM9X55 LTE-A Cat.10全模基頻數據晶片，預計將以三星或Global Foundries 14nm FinFet制程技術生產。
不過，由于目前三星14nm制程產線將優先處理蘋果A9處理器訂單，同時Global Foundries 14nm制程技術可能將延后1-2季度提供，因此也將導致Qualcomm無法在今年下半年間推出Snapdragon 820，而可能往后延后至2016年推出。
