制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V to 4 V
Qg-柵極電荷: 105 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 39 ns
正向跨導 - 最小值: 11 S
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 280 W
上升時間: 55 ns
工廠包裝數量: 500
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 38 g