INV1221配合外置 MOSFET， 用于驅動單串 LED 燈珠，通過 VC 端電容消除前級驅動器產生的 100/120 Hz 電流紋波。

自適應的電流調整可以保證 IC 去紋波同時功耗達到最低。

INV1221 將供電輸入端 VIN 電壓鉗位在 30V 左右，當供電電壓超過 31V 時，需在 VIN 端子串聯電阻。 INV1221 允許用戶通過調整采樣電阻阻值來靈活調整 LED 峰值電流，從而避免了短路或者熱插拔時對于 MOSFET 和 LED 燈珠的損害。 INV1221 通過采樣 MOSFET 漏端和 VLMT 端子之間的串聯電阻來設置 LED 負端電壓的最大值，用于限制系統功耗損失。 當 LED 負端電壓超過短路檢測門限值并維持超過 60us， IC 判斷 LED 短路并關斷 MOSFET。 INV1221 維持 MOSFET 關斷狀態13ms，之后自動退出該狀態。

同時 INV1221 也提供過溫保護，當 IC 溫度超過 135℃，過溫保護將啟動。 IC 關閉 MOSFET并維持關閉狀態直至溫度低于

110℃。

INV1221的特點：

• 自適應100/120Hz電流紋波消除芯片

• 輸入端內置鉗位穩壓管

• VG輸出電壓達10V

• LED電流紋波幅度可調s

• LED負端電壓幅度可調

• LED峰值電流可調

• 短路保護

• 熱插拔保護

• 過溫保護

• SOT23-6L 封裝

材料業者默克(Merck)近年在半導體材料領域進行多筆投資布局，如今已有所斬獲。該公司推出的旋涂式介電材料(Spin on Dielectric, SOD)，因具有極佳的填隙能力，可帶來局部平坦化效果并形成極薄的絕緣層，因而受到許多半導體制造商采用。此外，在微縮材料、顯影材料方面，該公司產品組合也更加完整。

默克全球IC材料事業處資深副總裁Rico Wiedenbruch表示，電晶體尺寸不斷縮小，使得晶片的效能與功耗得以持續改善，同時也讓晶片設計者可以在單一晶片上不斷添加更多功能。不過，電晶體越做越小，也帶來新的技術挑戰，例如填隙與絕緣，就是許多半導體業者所面臨的主要挑戰，且往往要靠材料技術的創新才能突破。

挑戰之所在，也就是機會之所在。近年來默克持續加碼布局半導體材料市場，并陸續推出一系列完整的半導體制程材料解決方案，以協助半導體業者克服電晶體微縮的技術挑戰。其中，旋涂式介電材料因具備許多優異的特性，因此推出后已廣獲邏輯、記憶體等晶片制造商采用。

旋涂式介電材料(Spin on dielectric, SOD)擁有絕佳的填洞能力及局部平坦化效果，其所形成的薄膜也具備更好的特性。該材料可填進很微小的空隙里，并且能在空隙中形成極薄的絕緣層，不但可提供客戶更廣的制程操作范圍，還可以為客戶帶來降低設備成本的優勢。

除了旋涂式介電材料外，默克還針對其他半導體制程需求開發出專用解決方案，協助顧客面對挑戰。其IC材料事業處的其他IC材料產品還包括頂部抗反射材料(TARC)、防塌濕潤劑(Rinse)、方向性排列材料(Directed Self Assembly, DSA)、沉積材料(Atomic Layer Deposition, ALD)、導電膠(Conductive Paste)等。

默克近年來積極在臺布局IC材料事業，并透過策略性并購，為半導體制程提供更加廣泛、創新的材料產品組合。該公司在2014年并購安智電子，并將其在新竹縣湖口鄉的三座生產中心納入集團中，正式跨入半導體產業，提供積體電路制程關鍵材料。隔年11月則再度并購SAFC Hitech，并將其高雄路竹廠區(臺灣賽孚思科技)，納入臺灣事業版圖。

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