二極管工作原理 晶體二極管（以下簡稱二極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種二極管，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。 對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。
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網址:http://www.szyctdz.net/當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。在制造二極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，
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網址:http://www.szyctdz.net/只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：Ie=Ib+Ic，這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--稱為直流放大倍數，集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：β= △Ic/△Ib。式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。二極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用二極管的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。NPN二極管放大時管子內部的工作原理： 1、發射區向基區發射電子（形成發射極電流） 發射結施加正向電壓且摻雜濃度高，所以發射區多數自由電子越過發射結擴散到基區，發射區的自由電子由直流電源補充，從而形成了發射極電流。（同時，基區的多數載流子也會擴散到發射區，成為發射極電流的一部分。由于基區很薄，且摻雜濃度較低，因此由基區多子空穴形成的電流可以忽略不計。） 2、自由電子在基區和空穴復合，形成基區電流，并繼續向集電區擴散
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網址:http://www.szyctdz.net/自由電子進入基區后，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合（基區中的空穴由直流電源補充），擴散的電子流與復合電子流之比例決定了二極管的放大能力。 3、集電區收集自由電子，形成集電極電流 由于集電結加反向電壓且面積很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。編輯本段主要參數特征頻率fT 當f= fT時，二極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大于fT，電路將不正常工作。 工作電壓/電流 用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍。 hFE 電流放大倍數。 VCEO 集電極發射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。 PCM 最大允許耗散功率。
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