汽車級 MOSFET 提供了多種封裝選擇，包括 TO 無引線和 DPAK 封裝。該器件具有高功率密度并減少了傳導損耗，為用戶提供了一種緊湊、高效的解決方案。

80 V 汽車級 MOSFET：
ON Semiconductor 的 80 V 汽車級 MOSFET 系列功率密度高、性能穩健，可滿足 48 V 系統對尺寸和能效的要求。先進的硅晶與封裝技術相結合，實現了極低的 RDS(ON)、更優的品質因數 (FOM) 和更低的功率耗散，以滿足不斷發展的效率標準要求。ON Semiconductor 的 PowerTrench® MOSFET 采用了屏蔽式柵極技術，無需外部緩沖器即可達到極低的開關損耗。

100 V 汽車級 MOSFET：
ON Semiconductor 的 100 V 功率 MOSFET 采用 5 mm x 6 mm SO-8FL 封裝，專門針對緊湊型高能效設計，具有高散熱性能。這些器件具有業內一流的 FOM，可實現高能效和低功率耗散。

采用無引線 TO 封裝的 PowerTrench® MOSFET：
TO-LL 技術具有極低的器件電阻、極小的基底面，實現了出色 EMI 性能。目前，這種技術提供了一系列專為汽車應用設計并通過鑒定的電壓選擇。

ON Semiconductor 的最新 PowerTrench 屏蔽柵極溝槽式技術與 TO-LL 封裝相結合，使其無引線 MOSFET 產品擁有了低 RDS(ON)。此外，出色的硅晶技術和封裝設計造就了出色的開關和 EMI 性能。相比其它分立式封裝，高電流應用中所需的并聯 MOSFET的數量（如果未取消）也會大大減少，從而實現更低的系統總成本。

80 V 汽車級 MOSFET 100 V 汽車級 MOSFET
降低了 QG︰采用 ON Semiconductor 的柵極屏蔽技術，實現了低開關損耗 低 RDS(ON) 出色的開關性能 Power56 (5 mm x 6 mm) 熱增強型封裝 低 QG，從而減少了開關損耗 低 RDS(ON) 軟切換 可選擇可潤濕側翼
采用 TO 無引線封裝的 PowerTrench® MOSFET
高能效 小型封裝 更低的系統成本