數據列表 BAV,SBAV70L;

標準包裝BAV70LT1GOSTR-ND;part_id=918324;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" /> 3,000
包裝 標準卷帶
類別 分立半導體產品
產品族 二極管 - 整流器 - 陣列
系列 -
其它名稱 BAV70LT1GOSTR


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規格 二極管配置 1 對共陰極
二極管類型 標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值） 100V
電流 - 平均整流（Io）（每二極管） 200mA（DC）
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf） 1.25V @ 150mA
速度 小信號 =< 200mA（Io），任意速度
不同Vr 時的電流 - 反向漏電流 2.5μA @ 70V
工作溫度 - 結 -55°C ~ 150°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）

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近期半導體業界紛高度關注高通Snapdragon 835發展動向，以及三

星10納米制程競爭力，面對聯發科、臺積電攜手首顆10納米產品Helio

X30大舉進逼，高通此役不僅攸關2017年手機芯片大廠競局變化，更

是三星與臺積電在10納米先進制程的頂尖對決。

高通先前推出的旗艦級芯片Snapdragon 820/821，系采用三星14納

米FinFET制程及改良版14納米LPP(Low Power Plus)制程生產，并導

入超過200款手機和平板電腦等終端移動裝置，高通新問世的Snapdr

agon 835采用三星10納米制程，已進入量產階段，2017年上半搭載

Snapdragon 835的各家手機將陸續量產出貨。

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高通Snapdragon 835芯片應用領域涵蓋智能手機、VR/AR頭戴式屏

幕、IP網路攝影機、平板電腦、移動式個人電腦等終端裝置，目前已

傳出多家手機大廠將采用高通Snapdragon 835芯片，包括三星、

小米、樂金、Oppo、Vivo等。

另外，高通Snapdragon 835亮點之一是Quick Charge 4.0快充技術，

相較于Quick Charge 3.0充電速度提高20%，充電5分鐘約可達5小

時的電池容量，充電15分鐘可達到裝置電池容量50%，Snapdragon

835封裝尺寸縮小35%，功耗降低25%，擁有更輕薄設計及更長電

池續航力，且新增高通Haven安全平臺，針對生物辨識與裝置驗證

提供更嚴密的防護。

半導體業者認為，10納米制程對于半導體大廠而言是一道極具挑戰

的關卡，高通Snapdragon 835芯片后續出貨及決勝關鍵，將是三

星10納米制程良率是否能改善，以及有無充足的10納米制程產能可

供應手機大客戶需求。

高通產品管理資深副總裁Keith Kressin在CES上揭露Snapdragon

835細節，其采用8核心搭載Kryo 280 CPU，包含4個時脈可達

2.45GHz的性能核心，以及4個時脈可達1.9GHz的效能核心，并加

入支持機器學習功能，透過升級至Snapdragon類神經網路處理引

擎軟件框架，可支持如Google的人工智能(AI)技術TensorFlow，

讓芯片可以自我學習各種功能，了解使用者習慣，或是強化AR/VR

使用體驗等。

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