產品種類: 肖特基二極管與整流器
制造商: Vishay
RoHS: RoHS 合規性豁免
產品: Schottky Rectifiers
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DO-220AA
Vrrm - 重復反向電壓: 30 V
Vf - 正向電壓: 0.45 V
Ifsm - 正向浪涌電流: 50 A
技術: Si
系列: SSxPxL
封裝: Reel
商標: Vishay
工廠包裝數量: 3000
零件號別名: SS1P3L-M3/85A
單位重量: 24 mg

在歷史上，半導體產業的成長仰賴制程節點每一次微縮所帶來的電晶

體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導

體產業近20~30年來面臨的最嚴重挑戰。

SS1P3L-M3/84A原裝正品假一賠十

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具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulkhigh-Kmetalgate，HKMG)CMOS制程，與16/14奈米FinFET將催生更小的電晶體，不過每個

邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMGCMOS制程。此成本

問題部分源自于在新制程節點，難以維持高參數良率(parametricyields)

以及低缺陷密度(defectdensity)。

1.采用新元件結構

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選項之一是全空乏絕緣上覆矽(fullydepletedsilicon-on-insulator，

FDSOI)，能帶來比塊狀CMOS與FinFET制程低的每閘成本以及漏電。

2.采用18寸晶圓

18寸(450mm)晶圓面臨的主要挑戰，是該選擇在哪個制程節點進行

轉換;一個可能的情況是10奈米與7奈米節點。不過，18寸晶圓與超

紫外光微影不太適合在同一個制程節點啟用，這讓問題變得復雜化。

一座18寸晶圓廠要在7奈米節點達到每月4萬片晶圓的產量，成本將

高達120億到140億美元，而且必須要在短時間之內迅速達到高產量，

否則折舊成本將帶來大幅的虧損。這樣的一座晶圓廠會需要生產能迅

速達到高產量的晶片產品。要克服這些挑戰需要付出很多努力，但全

球只有很小一部分半導體業者有能力做到;估計18寸晶圓將在2020年

開始量產。

3.強化實體設計與可制造性設計技術

復雜的16/14奈米FinFET設計成本可能高達4億美元以上，而要改善參

數良率可能還要付出1億或2億美元;這意味著只有非常少數的應用能負

擔得起，因為產品營收必須要是設計成本的十倍。此外，那些設計需要

在12個月之內完成，才能支援如智慧型手機等市場周期變化快速的終

端應用。

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