制造商:
International Rectifier
說明：
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 18.3mOhms 4.9nC
制造商:International Rectifier
產品種類:MOSFET
RoHS:詳細信息
Id-連續漏極電流:8.9 A
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Rds On-漏源導通電阻:27 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.7 V to 2.5 V
Qg-柵極電荷:4.9 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOIC-8
封裝:Tube
商標:International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Dual Dual Drain
下降時間:3.6 ns
正向跨導-最小值:12 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:12 ns
工廠包裝數量:95
典型關閉延遲時間:7.1 ns
典型接通延遲時間:6 ns
