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IRFI640G

發布時間:2017/7/13 10:57:00 訪問次數:331 發布企業:深圳市翔睿騰科技有限公司

IRFI640G

制造商:

Vishay Semiconductors

說明:

MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp

制造商:Vishay

產品種類:MOSFET

RoHS:詳細信息

商標:Vishay Semiconductors

Id-連續漏極電流:9.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導通電阻:180 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓:20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

安裝風格:Through Hole

封裝/箱體:TO-220-3

封裝:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:36 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:51 ns

工廠包裝數量:1000

典型關閉延遲時間:45 ns

Typical Turn-On Delay Time:14 ns

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