制造商:
International Rectifier
說明：
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
制造商:International Rectifier
產品種類:MOSFET
RoHS:詳細信息
Id-連續漏極電流:- 18 A
Vds-漏源極擊穿電壓:- 55 V
Rds On-漏源導通電阻:110 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:- 4 V
Qg-柵極電荷:32 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:57 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:DPAK-3
封裝:Reel
商標:International Rectifier
通道模式:Enhancement
Ciss-輸入電容:650 pF
配置:Single
下降時間:16 ns
正向跨導-最小值:4.2 S
