SST25VF016B-75-4I-S2AF設備顯著提高性能可靠性，同時降低功耗。設備用一個電源寫入(程序或刪除)SST25VF016B的2.7 -3.6 v的供應。的總能量消耗是施加電壓、電流和的函數應用程序的時間。因為對于任何給定的電壓范圍，超閃光技術用較少的電流來編程有一個較短的擦除時間，總能量消耗在任何刪除或程序操作都比其他選項少閃存技術。

SST25VF016B-75-4I-S2AF支持模式0(0,0)和模式SPI總線操作的3(1,1)。之間的差異兩種模式，如圖3所示，是SCK的狀態當總線主控處于待機狀態時信號數據被轉移。在模式0中，SCK信號很低而SCK信號在模式3中是高的。兩種模式的在SCK的上升沿采樣(SI)中的串行數據時鐘信號和串行數據輸出(因此)被驅動SCK時鐘信號的下降沿。

SST25VF016B-75-4I-S2AF通過SPI(串行)訪問外圍接口)總線兼容協議。SPI總線由四條控制線組成;Chip Enable(CE #)已經習慣了選擇設備，并通過串行訪問數據數據輸入(SI)、串行數據輸出(SO)和串行時鐘(SCK)。

SST25VF016B-75-4I-S2AF提供軟件寫保護。The寫入保護pin(WP #)啟用或禁用鎖定狀態寄存器的功能。街區保護位(BP3,BP2,BP1,BP0,BPL)在狀態寄存器中提供寫入保護到內存數組和狀態登記。塊保護描述見表4

SST的25系列系列閃光系列有四線，允許低的pin - count的與spil兼容的接口包裝占用較少的空間和最終降低系統總成本。SST25VF016B設備是提高了操作頻率甚至提高了比原來的SST25VFxxxA低功耗設備。SST25VF016B SPI系列閃光記憶用SST的專有，高性能制造CMOS SuperFlash技術。split-gate電池設計厚氧隧道噴油器具有較好的可靠性和可靠性

可制造性與替代方法相比