SST39VF3201B-70-4C-EKE設備為2M x16 CMOS多用途用SST的專有技術制造的Flash Plus(強積金+)，高性能CMOS SuperFlash技術。分閘柵單元設計和厚氧隧道噴射器具有較好的可靠性和可制造性替代方法。

SST39VF3201B-70-4C-EKE(寫程序用2.7 -3.6 v供電。這些設備符合JEDEC標準pin任務x16的記憶。以高性能的文字程序為特色SST39VF3201B-70-4C-EKE設備提供一個典型的文字程序7μsec。這些設備使用切換位或數據#輪詢表示程序操作的完成。為了保護在無意書寫的情況下，他們有芯片上的硬件和軟件數據保護方案。設計、制造并測試了廣泛的應用，這些設備具有典型的耐久力100000年的周期。數據保留的等級更大超過100年。

SST39VF3201B-70-4C-EKE設備適合應用需要方便、經濟設備適合應用需要方便、經濟的更新程序，配置,或數據的記憶。對于所有系統應用程序,它們顯著提高了性能和可靠性降低功耗。他們本質上使用更少在擦除和程序期間的能量比替代的閃光技術。消耗的總能量是一個函數應用電壓、電流和應用時間。自對于任何給定的電壓范圍，超閃光技術使用較少電流的程序，有較短的擦除時間，在任何擦除或程序中消耗的總能量操作比可替代的flash技術少。這些設備還可以提高靈活性，同時降低成本程序、數據和配置存儲應用程序。超閃光技術提供固定的擦除和程序乘以，獨立于刪除/程序的數量周期發生。因此,系統軟件或者硬件不需要被修改或降級必要的替代閃光技術，其擦除和程序的時間增加和累積的刪除/程序周期。為了滿足高密度，表面安裝的要求，

SST39VF3201B-70-4C-EKE設備適合應用需要方便、經濟的設備在48個領先的TSOP中提供48-ball TFBGA包。參見圖2和圖3銷作業。

特點:

•組織為2M x16

•單電壓讀寫操作

2.7 - 2.7 v

•卓越的可靠性

-續航時間:10萬次(典型)

-超過100年的數據保留

•低功耗(5兆赫的典型值)

-活動電流:6 mA(典型)

待機電流:4μA(典型值)

——汽車低功率模式:4μA(典型值)

•硬件區塊保護/ WP #輸入引腳

-頂部區塊保護(前32名KWord)

對于SST39VF3202B

-底部區塊保護(底部32字)

對于SST39VF3201B

•Sector-Erase能力

-統一的兩個KWord扇區

•Block-Erase能力

-統一32個字塊

•Chip-Erase能力

•Erase-Suspend / Erase-Resume功能

•硬件復位針(RST #)

•Security-ID特性

——SST:128位;用戶:128字

•快速閱讀訪問時間:

- 70 ns

•鎖定地址和數據

•快速擦除和文字程序:

-秒擦時間:18毫秒(典型)

- block - erase時間:18 ms(典型)

-芯片消除時間:35毫秒(典型)

——Word-Program時間:7μs(典型值)

•自動寫時間

——內部VPP代

•End-of-Write檢測

——切換部分

-數據#輪詢

•CMOS I / O兼容性

•電平標準

-閃光EEPROM插腳作業

•包可用

- 48導TSOP(12mm x 20mm)

- 48球TFBGA(6mm x 8mm)

•所有非鉛(無鉛)設備都符合RoHS要求