SST39VF040-70-4C-WHE是64K x8、128K x8、256K x8和5124K x8CMOS多用途閃光(強積金)制造SST的專利，高性能CMOS超閃存技術。分閘柵單元設計和厚-氧化物隧道噴油器具有較好的可靠性和可制造性相比之下,替代方法。
SST39VF040-70-4C-WHE設備寫(程序或刪除)與3.0 -3.6 v電源。的SST39VF512/010/020/040設備使用2.7 -3.6 v電源。這些設備符合JEDEC標準pinouts的x8記憶。以高性能字節程序為特色SST39VF040-70-4C-WHE和SST39VF512/010/020 /040設備提供最大的字節程序時間20μsec。這些設備使用切換位或數據#輪詢來指示程序操作的完成。為了保護在無意書寫的情況下，他們有芯片上的硬件和軟件數據保護方案。設計、制造并測試了廣泛的應用程序有保證的典型的10,000的耐力嗎
周期。數據保留在100年以上。
SST39VF040-70-4C-WHE設備適合需要的應用程序方便和經濟的更新程序，配置，或數據內存。對于所有系統應用程序，它們顯著提高性能和可靠性，同時降低功耗。它們固有地消耗更少的能量在擦除和程序期間比其他的閃光技術。消耗的總能量是一個函數應用電壓、電流和應用時間。因為任何給定的電壓范圍，超閃光技術使用減少了程序的電流，縮短了擦除時間在任何擦除或程序操作過程中消耗的總能量比可替代的flash技術少。這些設備還可以提高靈活性，同時降低成本程序、數據和配置存儲應用程序。超閃光技術提供固定的擦除和程序乘以，獨立于刪除/程序的數量周期發生。因此,系統軟件或者硬件不需要被修改或降級
必要的替代閃光技術，其擦除和程序的時間增加和累積的刪除/程序周期。為了滿足表面安裝要求，SST39VF040-70-4C-WHE和sst39vf512 / 010/020/040設備提供32 -鉛PLCC和32領先的TSOP包裝。The也提供SST39LF / VF010和SST39LF /VF020一個48-ball TFBGA包。參見圖1、2、3和4
銷作業
特點:
•組織為64K x8 / 128K x8 / 256K x8 / 512K x8
•單電壓讀寫操作
3.0 - 3.0 v SST39LF512/010/020/040
2.7 - 2.7 v SST39VF512/010/020/040
•卓越的可靠性
-續航時間:10萬次(典型)
-超過100年的數據保留
•低功耗
(典型值為14 MHz)
-活動電流:5 mA(典型)
待機電流:1μA(典型值)
•Sector-Erase能力
-統一4 kb扇區
•快速閱讀訪問時間:
- 45 ns for sst39lf512 /010/020/040
- 55 ns / sst39lf020 /040
- 70和90 ns的sst39vf512 /010/020/040
•鎖定地址和數據
•快速擦除和字節程序:
-秒擦時間:18毫秒(典型)
-芯片消除時間:70 ms(典型)
——Byte-Program時間:14μs(典型值)
——芯片改寫時間:
1秒(典型)SST39LF /VF512
SST39LF/ VF010的2秒(典型)
SST39LF/ VF020的4秒(典型)
SST39LF/ VF040的8秒(典型)
•自動寫時間
——內部VPP代
•End-of-Write檢測
——切換有點
-數據#輪詢
•CMOS I / O兼容性
•電平標準
-閃光EEPROM和命令集
•包可用
——32-lead PLCC
- 32鉛版TSOP(8mm x 14mm)
- 48球TFBGA(6mm x 8mm)
- 34球WFBGA(4mm x 6mm)1M和2M
•所有非鉛(無鉛)設備都符合RoHS要求
