KU10R29N資料
制造商: Shindengen
產品種類: 高壓觸發二極管
不重復通態電流: 100 A
額定重復關閉狀態電壓 VDRM: 250 V
關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 5 uA
開啟狀態電壓: 1.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 70 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MF
封裝: Reel
產品: Sidacs
商標: Shindengen
瀚佳科技（深圳）有限公司
聯系人:李先生李小姐（只售原裝正品）
手機:15323480719
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KU10R29N最近，一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內存條出現在了網絡上，有人稱這就是紫光自主研發的 DDR4 內存。一開始大家還不太相信圖片的真實性，因為貼紙上出現了 PC3-12800U 的字樣，對應的其實是 DDR3 1600 內存。但是近日紫光官方竟然主動承認了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實有相關的計劃。近日，紫光國芯在全景網投資者互動平臺上發出了正式回應，他們表示上述關于 DDR4 產品的報道并不確切，但是公司現在確實在開展 DDR4存儲芯片和模組的設計與開發工作，而按照計劃，該產品將會在明年逐步推向市場，這也意味著國內首條自主研發DDR4內存確認將會在明年問世。其實早在今年3月份，紫光國芯的 DDR4 和LPDDR4 內存就已經通過了科技成果評價。
現在紫光其實是有 DDR3 閃存在售的，在網友們測試之后也紛紛表示雖然不支持XMP 等功能，超頻到1866也能夠正常運行，已經達到了可以穩定使用的水準，所以對于下一代 DDR4內存，我們也是對紫光保有更大的期待。
而在今年 1 月，紫光也宣布投資 2000 億元在南京建設半導體產業基地，建成后月產晶圓 10 萬片，是中國規模最大的芯片制造工廠。同時紫光也投資了長江存儲，計劃打造國產的 3D NAND 閃存，所以未來紫光的努力或許會在芯片、DRAM 和閃存等多個領域開花結果，而這或許會幫助紫光成為世界范圍內為數不多能夠自設計、自生產、自銷售的半導體企業。
