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IPZA60R180P7XKSA1功率晶體管新品報道,關注徠派德電子!

發布時間:2018/8/16 18:00:00 訪問次數:333 發布企業:深圳市徠派德電子有限公司

600 V CoolMOS™P7功率晶體管 英飛凌的600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET采用TO-247 4引腳封裝,帶有不對稱引腳

英飛凌科技的600 V CoolMOS P7功率晶體管圖片英飛凌豐富的600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET產品系列現在包括標準TO-247 4引腳封裝的改進版本。TO-247 4引腳具有非對稱引線,在關鍵引線之間的爬電距離增加了0.54 mm,可實現更平滑的波峰焊接并降低電路板良率損失。與源極(開爾文連接)的額外連接(用作柵極驅動電壓的參考電位)消除了源極電感上的電壓降的影響,從而實現更快的開關瞬變,從而顯著提高效率。這樣可以實現更高的MOSFET RDS(on)使用和BOM成本節省。CoolMOS P7是英飛凌最佳平衡技術,具有易用性和最高能效的優化平衡。


再反過來對MOSFET的CGS通過放電觸發 效率低下 上述模擬引起Ë上的130μJ損失 清潔波形由第4針固定 開啟損耗減少2倍 上述模擬使用TO-247 4針減半Ë損失上= 63μJ
優點 特征
適用于硬開關和軟開關(PFC和LLC) 通過低振鈴趨勢和PFC和PWM級的使用,易于使用和快速設計 由于低開關和傳導損耗,簡化了熱管理 由于> 2 kV ESD保護,制造質量更高 通過使用占地面積更小的產品實現更高的功率密度解決方案 適用于各種應用和功率范圍 降低寄生源電感對柵極電路的影響,實現更快的切換和更高的效率 利用開爾文源效率的優勢,可以使用更高的MOSFET RDS(on)并降低BOM成本 爬電距離滿足5000米的高度要求 更容易由客戶設計 不對稱引線可簡化波峰焊接并提高電路板良率損失 出色的換向堅固性 優化效率和易用性之間的平衡 顯著降低開關和傳導損耗 所有產品均具有出色的ESD穩定性> 2 kV(HBM) 更好的RDS(on)/封裝產品與低RDS(on)x A(低于1Ωxmm2)的競爭相比 具有粒度RDS(on)選擇的大型產品組合適用于各種工業和消費級應用 第4針(開爾文源) 增加高壓引腳之間的爬電距離 門信號優化 不對稱引線會增加臨界引腳距離
應用
電信 服務器 太陽能 產業
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