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以如何使低介電材料(Low-k)，不因電子束的照射導致縮小、變形為例，一般分析業者不外乎減少電子束照射能量與提升樣品強度兩樣方式，而泛銓研發團隊擁有獨步全球的技術，制備低介質材料樣品的收縮比例達到業界最好;此外， 較軟的材質「光阻」也是業界在分析上相當棘手的材料，特別在最先進的半導體技術上。 半導體制程進到7納米之后，極紫外光(EUV)光刻微影是關鍵技術，但曝光光阻可能產生的缺陷是需要克服的問題，泛銓領先世界發展的檢測光阻缺陷技術，能在不損傷光阻材料情況下制備出完整樣品，以便于分析曝光缺陷和制程問題， 協助半導體廠改良制程。
為妥善保全客戶的數據，泛銓特別增設信息長職務以及營運保全處(BOSD)，并規劃滴水不漏的資安流程，嚴格執行，獲得重要客戶認同。 泛銓實驗室無論客戶或員工，甚至泛銓董事長、總經理及副總等一線主管，進出實驗室均需檢查背包物品，相機、筆電及手機鏡頭貼上保密貼。 實驗室內多數區域列為嚴管禁地，只有被授權人員才能進出。
本公司長期供應以下型號，大量現貨，歡迎廣大客戶，來電咨詢！！！
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ACB2012M-150-TACB1608H-060-TACB2012M-080-TACB1608H-300-TACB1608M-080-TACB1608M-040-T
