制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 5.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 500 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 12 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
系列: IRFR
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 1.4 S
下降時間: 31 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 63 ns
工廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 9.6 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
單位重量: 510 mg