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紫光700億美元打造三大存儲芯片廠，2018年量產3D NAND

閃存、內存市場這一年來遇到了好時機，來自中國廠商的需求使得存儲芯片市場從降價變成了缺貨漲價，直到今年Q1季度都會持續上漲。閃存漲價也讓三星、SK Hynix、美光等公司過了好日子，三星去年Q3季度在Note 7上的損失在Q4季度就被閃存漲價彌補回來了。中國缺少NAND閃存自主生產能力是個大問題，好在紫光集團已經在布局了，將在武漢、南京、成都三地建設存儲芯片廠，總投資700億美元，2018年將量產國產3D NAND閃存。

紫光集團收購新芯公司之后，在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地已經不是新聞了，這兩年來時常見諸媒體報道。Digitimes也報道稱湖北武漢市（原文打錯成了河北省）的工廠占地面積13公頃，近日已經開工，預計2018年正式量產3D NAND閃存。

不過武漢只是紫光存儲芯片布局的一部分，2017年在四川成都、江蘇南京還有兩個大計劃，投資超過460億美元，早前我們報道過前聯電CEO孫世偉加盟紫光擔任副總，他負責的就是成都晶圓廠，投資超過1200億人民幣。

武漢的240億美元加上成都、南京460億美元的投資，紫光建設三大存儲芯片基地的投資將超過700億美元，人民幣接近5000億元，放眼全球也是大手筆投資了，以致于美國都在政府顧問報告中指出中國發展半導體產業將降低美國企業競爭力，甚至影響美國國家安全。

除了存儲芯片之外，紫光集團還在尋求進入邏輯IC芯片制造領域，也就是說存儲芯片針對的是三星、美光、東芝這些公司，而邏輯芯片制造則是針對Intel、TSMC、三星LSI等公司了。