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國產存儲芯片技術突破 外商降價打壓
前不久，國內三大存儲龍頭企業紛紛傳來好消息，先是長江存儲3D NAND開始小批量生產，長江存儲自主研發的Xtacking架構的64層NAND樣品已經送至合作伙伴進行測試，64 層128G 的NAND Flash有望在2019 年量產。同時，長江存儲將跳過96層NAND，直接研發128 層256G 的NAND Flash。據小道消息稱，由于采用了Xtacking架構，長江存儲的64層NAND相較于國外的96層NAND僅僅是稍遜一籌，當128 層 NAND Flash量產之后，則可以直接與外商競爭。在DRAM上，合肥長鑫葉集和在2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。
對于中國存儲芯片上取得的進步，外商采用了制裁的方式，誠然，制裁確實對國內個別高度依賴境外技術支持的企業造成了傷害，但無法阻止中國進軍存儲芯片的決心，對于那些建立起自己研發團隊，形成自主研發能力的企業來說，作用并不大。可以說，制裁反而堅定了中國自主研發的決心。
之后中國相關部門官員公開表態和進一步開展對三星、海力士、鎂光公司涉嫌實施壟斷行為立案開展調查都展示出，中國在存儲芯片技術上已經有所突破，并擁有了制裁外商的底牌。
也許是因為政治手段效果不明顯，外商開始祭出商業手段，開始玩降價。近期，在經過2年左右的漲價之后，DRAM開始逐步降價。要知道，為了維持高價獲取高額利潤，三星、SK Hynix曾經通過削減產能的方式嚴防價格回落。而在最近，國外壟斷巨頭開始降價了，以至于內存模組的價格開始下跌。國外分析機構認為，在今年第四季度，DRAM價格環比會降低8%到10%，明年第一季度還會繼續保持價格下滑的趨勢。
由于三星、SK海力士，鎂光分別占據了DRAM市場的45%、29%和21%，因而非常容易進行價格操控，而這一波的降價潮中，鎂光的動作最為兇橫。
在這種大環境下，國內存儲芯片的幾大龍頭企業很可能會受到波及，在幾年內無法盈利，重復京東方早些年的發展歷程。
總的來說，道路是曲折的，前途是光明的，畢竟在技術上已經不存在絕對的門檻了，差距主要在產業會上，而在中國市場和國家意志的扶持下，十年磨一劍把產業建起了，可能性是非常高的，京東方的發展歷程已經說明了這一點。
此外，對于一些肆意操縱產品價格的外商，特別是有當中國無法國產時，玩壟斷賣高價，當國內技術突破后大幅降價的情況，相關部門應當果斷出手，對于這類外商征收賦稅，以避免外商傾銷對還處于萌芽階段的內資企業造成沖擊和傷害。
