STGWA40IH65DF絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IH系列 STMicroelectronics的STGWA40IH65DF 650 V，IGBT，IH系列旨在最大限度地提高任何諧振和軟開關應用的效率

STGWA40IH65DF絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IH系列圖片" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/S/STMicroelectronics/STGWA40IH65DF%20IGBT%20IH%20Series/stmicroelectronic-STGWA40IH65DF-insulated-gate-bipolar-transistor-ih-series-200.jpg?ts=092c58ea-1204-41ac-8660-a92334c697f4&w=170&h=180&la=zh-CN" title="STMicroelectronic的STGWA40IH65DF絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IH系列" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:180px;width:170px;" />意法半導體的IGBT 650 V軟開關IH系列采用先進的專有溝槽柵極場截止結構開發而成，其性能在導通和開關損耗方面均得到優化，適用于軟換向。包括具有低壓降正向電壓的續流二極管。結果是產品專門設計用于最大化任何諧振和軟開關應用的效率。

特征 僅用于軟通信 最高結溫：TJ= 175°C VCE（sat）= 1.5 V（典型值）@ IC = 40 A. 最小化尾電流 緊密的參數分布 低熱阻 低壓降續流共同封裝二極管 正VCE（sat）溫度系數