產品描述：FDC6301N

FDC6301N:雙N溝道數字FET

這些雙N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管采用飛兆半導體專有的高電池密度DMOS技術生產。這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。該器件特別為低電壓應用設計，以替代數字晶體管。由于不要求偏壓電阻，此類N溝道FET能替代多種具有不同偏壓電阻的數字晶體管。

產品特性：FDC6301N

25V、0.22A（連續值）、0.5A（峰值）

RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V

RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V

柵極驅動電平要求極低，從而可在3V電路中直接運行。VGS(th)<1.5V

柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。>6kV人體模型

應用：FDC6301N

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FDC6301N
描述 MOSFET2N-CH25V0.22ASSOT6
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 37周
詳細描述 2-個-N-溝道（雙）-Mosfet-陣列-25V-220mA-700mW-表面貼裝-SuperSOT™-6

一般信息

數據列表 FDC6301N;

標準包裝FDC6301NTR-ND;part_id=965279;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-陣列
系列 -

規格

FET類型 2個N溝道（雙）
FET功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 25V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 220mA
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 4歐姆@400mA，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1.5V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 0.7nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9.5pF@10V
功率-最大值 700mW
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝 SuperSOT™-6