產品描述：SI9407BDY-T1-GE3

P溝道60V（D-S）MOSFET

產品特征：SI9407BDY-T1-GE3

•無鹵素符合IEC61249-2-21

定義

•TrenchFET®功率MOSFET

•100％UIS經過測試

•符合RoHS指令2002/95/EC

應用

•主側開關

生命周期：SI9407BDY-T1-GE3

量產

歐盟RoHS

是

歐盟RoHS版本

2011/65/EU，2015/863

零件編號代碼

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描述

TransMOSFETP-CH60V3.2A8引腳SOICNT/R.

分類

二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET

產品面世日期

2008-02-0400:00:00

ECCN

EAR99

供應商籠子代碼

18612

HTSUSA

8541290095

組態

單四極管漏極三源

類別

功率MOSFET

頻道模式

增強

頻道類型

P

每個芯片的元素數量

1

工藝技術

TrenchFET

最大漏極源電壓

60V

最大柵極源電壓

±20V

最大連續漏極電流

3.2A

最大門限閾值電壓

3V

最大漏極源電阻

120@10VmOhm

典型的柵極電荷@Vgs

14.5@10V|8@4.5VnC

典型的柵極電荷@10V

14.5nC

典型輸入電容@Vds

600@30VpF

最大功耗

2400MW

最低工作溫度

-55°C

最高工作溫度

150℃

典型輸出電容

70pF

基本包裝類型

引線框架SMT

包裹姓氏

SOP

供應商包裝

SOICN.

包裝說明

小外形IC窄體

鉛形狀

鷗翼

針數

8

PCB

8

包裝長度（mm）

5（最大）

包裝寬度（mm）

4（最大值）

包裝高度（mm）

1.55（最大）

坐式平面高度（mm）

1.75（最大）

針距（mm）

1.27

包裝材料

塑料

安裝

表面貼裝

封裝外形

下載PDF文檔

JEDEC

MS-012AA

Jedec信息（PKG大綱）

下載PDF文檔

MSL

1

最大回流溫度（°C）

250

回流焊時間（秒）

40

回流循環次數

3

鉛涂層（電鍍）

啞光錫

終端底座材料

銅

制造商 VishaySiliconix
制造商零件編號 SI9407BDY-T1-GE3
描述 MOSFETP-CH60V4.7A8-SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 12周
詳細描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-4.7A（Tc）-2.4W（Ta）-5W（Tc）-8-SO
一般信息 數據列表 SI9407BDY;

標準包裝SI9407BDY-T1-GE3TR-ND;part_id=1978862;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 TrenchFET®


規格 FET類型 P溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 4.7A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 120毫歐@3.2A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 3V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 22nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 600pF@30V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），5W（Tc）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）