產品描述：SI2309CDS-T1-GE3

P溝道60V（D-S）MOSFET

產品特征：SI2309CDS-T1-GE3

•可提供無鹵素選項

•TrenchFET®功率MOSFET

應用

•負載開關

生命周期：SI2309CDS-T1-GE3

量產

歐盟RoHS

是

歐盟RoHS版本

2011/65/EU，2015/863

零件編號代碼

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描述

TransMOSFETP-CH60V1.2A3引腳SOT-23T/R.

分類

二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET

產品面世日期

2008-10-3000:00:00

ECCN

EAR99

供應商籠子代碼

18612

HTSUSA

8541290095

組態

單

類別

功率MOSFET

頻道模式

增強

頻道類型

P

每個芯片的元素數量

1

工藝技術

TrenchFET

最大漏極源電壓

60V

最大柵極源電壓

±20V

最大連續漏極電流

1.2A

最大門限閾值電壓

3V

最大漏極源電阻

345@10VmOhm

典型的柵極電荷@Vgs

2.7@4.5VnC

典型輸入電容@Vds

210@30VpF

最大功耗

1000MW

最低工作溫度

-55°C

最高工作溫度

150℃

典型輸出電容

28pF

基本包裝類型

引線框架SMT

包裹姓氏

SOT-23

供應商包裝

SOT-23

包裝說明

小外形晶體管

鉛形狀

鷗翼

針數

3

PCB

3

包裝長度（mm）

3.04（最大）

包裝寬度（mm）

1.4（最大）

包裝高度（mm）

1.02（最大）

坐式平面高度（mm）

1.12（最大）

針距（mm）

0.95

包裝材料

塑料

安裝

表面貼裝

封裝外形

下載PDF文檔

JEDEC

TO-236AB

Jedec信息（PKG大綱）

下載PDF文檔

MSL

1

最大回流溫度（°C）

260

回流焊時間（秒）

三十

回流循環次數

3

鉛涂層（電鍍）

啞光錫

終端底座材料

CuOlin194

制造商 VishaySiliconix
制造商零件編號 SI2309CDS-T1-GE3
描述 MOSFETP-CH60V1.6ASOT23-3
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 12周
詳細描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-1.6A（Tc）-1W（Ta）-1.7W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）
一般信息 數據列表 SI2309CDS;

標準包裝SI2309CDS-T1-GE3TR-ND;part_id=2622030;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 TrenchFET®


規格 FET類型 P溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 1.6A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 345毫歐@1.25A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 3V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 4.1nC@4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 210pF@30V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta），1.7W（Tc）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3