產品描述：FQD13N06LTM

FQD13N06LTM:N溝道QFET®MOSFET60V，11A，115mΩ

該N溝道增強型功率MOSFET產品采用飛兆半導體的專有平面條形和DMOS技術生產。這種先進的MOSFET技術已專門定制用來降低導通電阻，并提供卓越的開關性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關模式電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。

產品特性：FQD13N06LTM

11A,60V,RDS(on)=115mΩ（最大值）@VGS=10V,ID=5.5A柵極電荷低（典型值：4.8nC)

低Crss（典型值17pF)

100%經過雪崩擊穿測試

100%avalanchetested

應用：FQD13N06LTM

LCD電視

LED電視

其他工業

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FQD13N06LTM
描述 MOSFETN-CH60V11ADPAK
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 5周
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-11A（Tc）-2.5W（Ta）-28W（Tc）-D-Pak

一般信息

數據列表 FQD13N06L,FQU13N06L;

標準包裝FQD13N06LTMTR-ND;part_id=1053548;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 QFET®

規格

FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 11A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 5V，10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 115毫歐@5.5A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 2.5V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 6.4nC@5V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），28W（Tc）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63