東芝THGAM e-MMC™NAND閃存采用64位和96層堆疊的位柱堆疊（BiCS）FLASH™3D技術。這些閃存為需要以經濟高效的方式存儲更高數據量的應用提供了最佳解決方案。THGAM eMMC閃存完全符合多媒體卡協會（MMCA）高速存儲器接口標準。這些閃存符合最新的JEDEC版本5.0和5.1。
THGAM eMMC閃存功能集成了內存管理功能，包括糾錯碼，壞塊管理，耗損均衡和垃圾回收。這些閃存采用FBGA封裝和標準（-25°C至85°C）和擴展（-40°C至105°C）溫度版本。典型應用包括消費電子，多媒體，智能計量和智能照明。
特征 4GB至128GB內存 15nm FG / BiCS 3D NAND技術 多級單元（MLC）技術 符合最新的JEDEC 5.0和5.1版 集成內存管理： 糾錯碼 壞塊管理 磨損均衡 垃圾收集 HS400的接口速度更高，符合JEDEC 5.x. 管理內存 利用高品質的東芝MLC NAND閃存與東芝原產的控制器相結合 工作溫度范圍： -25°C至85°C（標準） -40°C至105°C（擴展） FBGA封裝 應用 產業 消費類電子產品 多媒體 智能計量 智能照明 智能應用
