Cypress Semiconductor Excelon™鐵電RAM (F-RAM) Cypress Semiconductor Excelon™鐵電RAM (F-RAM) 是下一代F-RAM，設有低功耗、任務關鍵型非易失性存儲器。Excelon系列將超低功耗運行與高速接口、即時非易失性和無限讀/寫周期耐久性相結合。這使得Excelon成為便攜式醫療、可穿戴、物聯網傳感器、工業和汽車應用的理想數據記錄存儲器。有三個不同Excelon系列可供選擇：Excelon-LP、Excelon-Ultra和Excelon-Auto。 FEATURES Excelon F-RAM特性 典型待機電流和休眠電流分別為1μA和0.1μA，僅為當前F-RAM的1/150 與競爭性產品SPI F-RAM相比，由于添加了108MHz QSPI，因此性能提升了10倍以上 具有NoDelay™寫入功能，可在無需吸入時間的情況下立即捕獲數據，且無需任何額外元件即可進行電源備份 2Mbit、4Mbit和8Mbit密度選項 工作電壓范圍：1.71V至1.89V和1.80V至3.60V 商用（0°C至+70°C）、工業（-40°C至+85°C）、汽車A（-40°C至+85°C）和汽車E（-40°C至+125°C）溫度等級

面向工業自動化系統的Excelon-Ultra™ 提供多種省電模式，包括休眠、深度斷電和待機 能耗分別為EEPROM和NOR閃存產品的1/200和1/3000 讀/寫耐久性為1,000萬億寫入周期，可實現每毫秒記錄一次數據，數據保留時間超過3,000年 推出8Mbit密度F-RAM，這是最高密度的串行F-RAM，可滿足這些應用中不斷增長的數據記錄要求 采用小占位（約為10mm2）、8引腳GQFN封裝 應用示例：可滿足PLC的嚴苛數據記錄需求的理想存儲器

面向自動輔助駕駛系統的Excelon-Auto™ 在沒有吸入時間要求的情況下立即捕獲數據，也無需其他備份元件 支持1,000萬億寫入周期的耐久性，可實現每μs記錄一次數據，數據保留時間為20年 提供符合AEC-Q100標準以及功能安全標準的存儲器元件 示例應用：在ADAS Vision Systems中實現即時可靠的數據捕獲

面向便攜式醫療、可穿戴設備和物聯網設備應用的Excelon-LP™（即將推出） 提供多種省電模式，包括休眠、深度斷電和待機 能耗分別為EEPROM和NOR閃存產品的1/200和1/3000 讀/寫耐久性為1,000萬億寫入周期，可實現每毫秒記錄一次數據，數據保留時間超過3,000年 推出8Mbit密度F-RAM，這是最高密度的串行F-RAM，可滿足這些應用中不斷增長的數據記錄要求 采用小占位（約為10mm2）、8引腳GQFN封裝 應用示例：針對便攜式醫療應用提供更長的電池壽命、高可靠性和小巧外形 框圖 F-RAM)" title="Block Diagram - Cypress Semiconductor Excelon™鐵電RAM (F-RAM)" style="box-sizing:border-box;vertical-align:middle;display:block;max-width:100%;height:auto;" /> F-RAM)" title="Block Diagram - Cypress Semiconductor Excelon™鐵電RAM (F-RAM)" style="box-sizing:border-box;vertical-align:middle;display:block;max-width:100%;height:auto;" /> F-RAM)" title="Block Diagram - Cypress Semiconductor Excelon™鐵電RAM (F-RAM)" style="box-sizing:border-box;vertical-align:middle;display:block;max-width:100%;height:auto;" />