晶體管的分類
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（Bipolar Transistor 簡稱BJT）和場效應晶體管（Field Effect Transistor 簡稱FET）。
雙極性晶體管（BJT）是由兩個背靠背PN結構成的具有電流放大作用的晶體管，它的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector），有NPN型管和PNP型管兩種類型：
場效應晶體管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路，它的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。有結型場效應管（Junction FET，簡稱JFET ）和絕緣柵場效應管（Metal-oxide Semiconductor FET，簡稱MOS管）兩種類型：
隨著晶體管的應用，TO封裝技術也開始發展，從塑料材質，到金屬材質，不同的廠家TO封裝有不同的命名，但命名規則都是由封裝代號+管腳數組成：例如：TO-220-5，其中TO-220表示封裝的代號，后面的5表示其管腳數。
