描述：AOD442
60V N溝道MOSFET
AOD442 / AOI442使用了先進的溝槽技術提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 那些器件適合用作負載開關或PWM應用程序。

產品概要：AOD442
VDS 60V
ID（在VGS = 10V時）37A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<20mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<25mΩ
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AOD442
描述MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-60V-7A（Ta）-37A（Tc）-2.1W（Ta）-60W（Tc）-TO-252-（D-Pak）

一般信息：AOD442

數據列表AOD442;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AOD442

FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）7A（Ta），37A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）20 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）68nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）2300pF @ 30V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.1W（Ta），60W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63