描述：FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU：600V，40A，場截止IGBT
飛兆半導體的場截止IGBT系列采用新型場截止IGBT技術，為光伏逆變器，UPS，焊機，微波爐，通訊，ESS和PFC等低導通和開關損耗的應用提供最佳性能。

特性：FGH40N60SFDTU
高電流能力
低飽和電壓：VCE（sat）= 2.3V @ IC = 40A
高輸入系數
快速開關：EOFF = 8uJ / A
符合RoHS標準

應用：FGH40N60SFDTU
其他工業

制造商:FGH40N60SFDTU
ON Semiconductor
產品種類:
IGBT 晶體管
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
封裝 / 箱體:
TO-247-3
安裝風格:
Through Hole
配置:
Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
600 V
柵極/發射極最大電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
系列:
FGH40N60SFD
封裝:
Tube
集電極最大連續電流 Ic:
80 A
高度:
20.82 mm
長度:
15.87 mm
寬度:
4.82 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
產品類型:
IGBT Transistors
工廠包裝數量:
450
子類別:
IGBTs
單位重量:
6.390 g