描述：NGTB40N120FL2WG
IGBT-場停止II
該絕緣柵雙極晶體管（IGBT）具有堅固耐用的特點具有成本效益的Field Stop II溝渠結構，并提供卓越的要求苛刻的開關應用中的性能，同時提供導通狀態電壓和最小的開關損耗。 IGBT非常適合適用于UPS和太陽能應用。 納入設備是一個軟以及具有低正向電壓的快速共封裝續流二極管。

特征：NGTB40N120FL2WG
•極高效率的溝渠采用Field Stop技術
•TJmax = 175°攝氏度
•軟快速反向恢復二極管
•針對高速開關進行了優化
•10 s短路能力
•這些是無鉛設備

典型應用：NGTB40N120FL2WG
•太陽能逆變器
•不間斷電源逆變器電源（UPS）
• 焊接

制造商:NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor
產品種類:
IGBT 晶體管
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
封裝 / 箱體:
TO-247
安裝風格:
Through Hole
配置:
Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
1200 V
集電極—射極飽和電壓:
2 V
柵極/發射極最大電壓:
30 V
在25 C的連續集電極電流:
80 A
Pd-功率耗散:
535 W
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
系列:
NGTB40N120FL2
封裝:
Tube
商標:
ON Semiconductor
柵極—射極漏泄電流:
200 nA
產品類型:
IGBT Transistors
工廠包裝數量:
30
子類別:
IGBTs
單位重量:
6.500 g