描述：NTS2101PT1G
MOSFET –電源，單路，P通道，SC-70
-8.0 V，-1.4 A

特征：NTS2101PT1G
•領先的Trench技術，可降低RDS（on），延長電池壽命
•低壓柵極驅動器額定值為−1.8 V
•SC-70表面貼裝，占地面積小（2 x 2 mm）
•無鉛封裝可用

應用領域：NTS2101PT1G
•高端負載開關
•充電電路
•單電池應用，例如手機，
數碼相機，PDA等

制造商:NTS2101PT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-323-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
8 V
Id-連續漏極電流:
1.4 A
Rds On-漏源導通電阻:
100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
450 mV
Qg-柵極電荷:
6.4 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
290 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.85 mm
長度:
2.1 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTS2101P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.24 mm
商標:
ON Semiconductor
下降時間:
18 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
15 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
26 ns
典型接通延遲時間:
6.2 ns
單位重量:
5 mg