T1G4020036-FL原裝進口Triquint射頻結柵場效應晶體管 DC-3.5GHz
特別是，第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量(Capacitance)最大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩定性。
DRAM 1Z 開發事業TF長 李廷燻表示：“第三代10納米級DDR4 DRAM擁有業界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最適合于購買高性能/高容量DRAM的客戶需求變化。計劃年內完成批量生產，從明年開始正式供應， 積極應對市場需求。”
另一方面，SK海力士計劃對于下一代移動DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種應用領域擴大適用第三代10納米級微細工程技術。
