功能說明：CY62167EV30LL-45BVXI
CY62167EV30是一款高性能CMOS靜態RAM組織為1M字乘以16位或2M字乘以8位。這個
該器件具有先進的電路設計，可提供超強的
低有效電流。超低有功電流非常適合提供
在諸如以下的便攜式應用中具有更長的電池壽命）（MoBL®）
蜂窩電話。該設備還具有自動電源
下降功能可將功耗降低99％
地址不切換時。將設備置于待機狀態
取消選擇時的模式（CE1 HIGH或CE2 LOW或BHE和
BLE高）。輸入和輸出引腳（I / O0至I / O15）
在以下情況下處于高阻狀態：
取消選擇（CE1 HIGH或CE2 LOW），禁用輸出（OE
高），禁用字節高啟用和字節低啟用
（BHE，BLE高）或正在進行寫入操作（CE1低，
CE2高和WE低）。
要寫入設備，請使能芯片使能（CE1 LOW和CE2
高）和寫使能（WE）輸入低。如果啟用字節低
（BLE）為低電平，則來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數據為
寫入地址引腳上指定的位置（A0至
A19）。如果字節高使能（BHE）為LOW，則來自I / O的數據
引腳（I / O8至I / O15）寫入指定的位置
地址引腳（A0至A19）。
要從設備讀取，請使用芯片使能（CE1 LOW和CE2
高）和輸出使能（OE）為低，同時強制執行寫操作
啟用（WE）高電平。如果字節低位使能（BLE）為低，則數據
從地址引腳指定的存儲位置出現
在I / O0到I / O7上。如果字節高使能（BHE）為低，則來自
內存出現在I / O8至I / O15上。請參閱第12頁的真值表
有關讀寫模式的完整說明
特征：CY62167EV30LL-45BVXI
■TSOP I封裝，可配置為1M×16或2M×8 SRAM
■極高的速度：45 ns
■溫度范圍
❐汽車-A：–40°C至+85°C
■寬電壓范圍：2.20 V至3.60 V
■超低待機功率
standby典型待機電流：1.5A
standby最大待機電流：12A
■超低有功功率
❐典型有功電流：f = 1 MHz時為2.2 mA
■通過CE1，CE2和OE功能輕松擴展內存
■取消選擇時自動關機
■CMOS，以獲得最佳速度和功率
■提供無鉛48球VFBGA和48引腳TSOP I封裝
制造商: Cypress Semiconductor
產品種類: 靜態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
存儲容量: 16 Mbit
組織: 2 M x 8/1 M x 16
訪問時間: 45 ns
最大時鐘頻率: -
接口類型: Parallel
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 2.2 V
電源電流—最大值: 30 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VFBGA-48
封裝: Tray
存儲類型: Volatile
系列: CY62167EV30LL
類型: Asynchronous
商標: Cypress Semiconductor
端口數量: 1
濕度敏感性: Yes
產品類型: SRAM
工廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
商標名: MoBL
單位重量: 223.200 mg
