（SRAM）以256K字乘16位組織。這個設備
具有先進的電路設計，可提供超低有源
當前。它是提供更多電池壽命™（MoBL）的理想選擇
便攜式應用，例如蜂窩電話。裝置
還具有自動斷電功能，
減少地址不切換時的功耗。
將設備置于待機模式會降低功耗
取消選中時，消費量超過99％（CE
高或BLE和BHE均為高）。輸入和輸出引腳
在以下情況下（I / O0至I / O15）處于高阻抗狀態：
■取消選擇（CE高）
■禁用輸出（OE高）
■禁用了字節高位啟用和字節低位啟用
（BHE，BLE高）
■寫入操作處于活動狀態（CE LOW和WE LOW）
要寫入設備，請使用Chip Enable（CE）和Write Enable
（WE）輸入低電平。如果字節低位使能（BLE）為低，則數據
從I / O引腳（I / O0到I / O7）寫入位置
在地址引腳（A0至A17）上指定。如果字節高
使能（BHE）為LOW，然后來自I / O引腳（I / O8至
I / O15）寫入地址引腳上指定的位置
（A0至A17）。
要從設備讀取數據，請使用芯片使能（CE）和輸出
將（OE）設為低電平，同時將寫入（WE）設為高電平。如果
字節低使能（BLE）為低，然后來自存儲器的數據
地址引腳指定的位置出現在I / O0至I / O7上。如果
字節高使能（BHE）為低，然后出現內存中的數據
在I / O8到I / O15上。有關完整信息，請參見第11頁的真值表。
讀寫模式的說明。
特征：CY62147EV30LL-45ZSXIT
■極高的速度：45 ns
■溫度范圍
❐工業級：–40°C至+85°C
■寬電壓范圍：2.20 V至3.60 V
■與CY62147DV30引腳兼容
■超低待機功耗
standby典型待機電流：1A
standby最大待機電流：7A（工業）
■超低有功功率
❐典型有功電流：f = 1 MHz時為2 mA
■通過CE [1]和OE功能輕松擴展內存
■取消選擇時自動關機
■互補金屬氧化物半導體（CMOS）
最佳速度和功率
■提供無鉛48球超精細球柵陣列（VFBGA）
（單/雙CE選件）和44引腳薄型小型封裝
（TSOP）II軟件包
■字節掉電功能
制造商: Cypress Semiconductor
產品種類: 靜態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
存儲容量: 4 Mbit
組織: 256 k x 16
訪問時間: 45 ns
最大時鐘頻率: -
接口類型: Parallel
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 2.2 V
電源電流—最大值: 20 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-44
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
存儲類型: Volatile
系列: CY62147EV30LL
類型: Asynchronous
商標: Cypress Semiconductor
端口數量: 1
濕度敏感性: Yes
產品類型: SRAM
工廠包裝數量: 1000
子類別: Memory & Data Storage
商標名: MoBL
單位重量: 453.250 mg
