功能說明：CY7C1051DV33-10ZSXI
CY7C1051DV33是高性能CMOS靜態RAM由16位組織為512 K字。
要寫入設備，請使用Chip Enable（CE）和Write Enable
（WE）輸入低電平。如果字節低使能（BLE）為低，則數據
從I / O引腳（I / O0–I / O7）寫入到指定的位置
地址引腳（A0–A18）。如果字節高啟用（BHE）為低，
然后將來自I / O引腳（I / O8–I / O15）的數據寫入該位置
在地址引腳（A0–A18）上指定。
要從設備讀取數據，請使用芯片使能（CE）和輸出
將（OE）設為低電平，同時將寫入（WE）設為高電平。如果
字節低使能（BLE）為低，然后來自存儲器的數據
地址引腳指定的位置出現在I / O0–I / O7上。如果
字節高使能（BHE）為低，然后來自存儲器的數據
出現在I / O8到I / O15上。請參閱第10頁的真相表以了解
讀寫模式的完整說明。
輸入/輸出引腳（I / O0–I / O15）放置在
取消選擇設備時（CE HIGH）為高阻抗狀態，
輸出被禁用（OE HIGH），BHE和BLE為
禁用（BHE，BLE高）或寫操作（CE低，并且
WE LOW）正在進行中。
CY7C1051DV33采用44引腳TSOP II封裝
具有中心電源和地面（革命性）引腳，以及一個
48球FBGA封裝。
特征：CY7C1051DV33-10ZSXI
■溫度范圍
❐–40°C至85°C
■高速
❐tAA = 10納秒
■低有功功率
f ICC = 110 mA（在f = 100 MHz時）
■CMOS待機功耗低
❐ISB2 = 20 mA
■2.0 V數據保留
■取消選擇時自動關機
■兼容晶體管-晶體管邏輯（TTL）的輸入和輸出
■通過CE和OE功能輕松擴展內存
■提供無鉛48球精細球柵陣列（FBGA）和
44引腳薄型小尺寸封裝（TSOP）II封裝
制造商: Cypress Semiconductor
產品種類: 靜態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
存儲容量: 8 Mbit
組織: 512 k x 16
訪問時間: 10 ns
最大時鐘頻率: -
接口類型: Parallel
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 3 V
電源電流—最大值: 110 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-44
封裝: Tray
存儲類型: Volatile
系列: CY7C1051DV33
類型: Asynchronous
商標: Cypress Semiconductor
濕度敏感性: Yes
產品類型: SRAM
工廠包裝數量: 135
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 6 g
