命令，地址和數據。有五個控制信號用于實現
異步數據接口：CE＃，CLE，ALE，WE＃和RE＃。附加信號控制
硬件寫保護和監視設備狀態（R / B＃）。
該硬件接口創建了一個低引腳數的設備，其標準引腳從一種密度到另一種密度都保持不變，從而無需將來重新設計電路板即可升級到更高密度。
目標是通過芯片使能信號訪問的存儲器單元。目標包含一個或
更多NAND閃存死亡。 NAND閃存芯片是可以獨立運行的最小單元
執行命令并報告狀態。在ONFI規范中，NAND閃存芯片是
稱為邏輯單元（LUN）。每個芯片啟用至少一個NAND閃存芯片
信號。有關更多詳細信息，請參閱設備和陣列組織。
該設備具有內部4位ECC，可以使用GET / SET功能啟用該功能。
有關更多信息，請參見內部ECC和ECC的備用區域映射。
特征：MT29F1G08ABADAH4-IT:D
•兼容開放式NAND閃存接口（ONFI）1.0
•單層電池（SLC）技術
•組織
–頁面大小x8：2112字節（2048 + 64字節）
–頁面大小x16：1056字（1024 + 32字）
–塊大小：64頁（128K + 4K字節）
–設備大小：1Gb：1024個塊
•異步I / O性能
–
tRC / tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
•陣列性能
–閱讀頁：25μs3
–程序頁面：200μs（典型值，3.3V和1.8V）3
–擦除塊：700μs（TYP）
•命令集：ONFI NAND閃存協議
•高級命令集
–程序頁面緩存模式5
–讀取頁面緩存模式5
–一次性可編程（OTP）模式
–讀取唯一ID
–內部數據移動
•操作狀態字節提供了用于以下目的的軟件方法
檢測
–操作完成
–通過/失敗條件
–寫保護狀態
•內部支持的內部數據移動操作
從中讀取數據的設備
•就緒/忙碌＃（R / B＃）信號提供了硬件
操作完成的檢測方法
•WP＃信號：寫保護整個設備
•出廠時帶有ECC的第一個塊（塊地址00h）有效。最低要求
ECC，請參閱錯誤管理。
•如果PROGRAM / ERASE周期小于1000，則塊0需要1位ECC
•開機后第一個命令要求RESET（FFh）
•開機后設備初始化的另一種方法（Nand_Init）4
（聯系工廠）
•質量和可靠性
–數據保留：10年
–耐久性：100,000個程序/擦除周期
•工作電壓范圍
– VCC：2.7–3.6V
– VCC：1.7–1.95V
•工作溫度：
–商業：0°C至+ 70°C
–擴展（ET）：–40oC至+85oC
•包裝
– 48引腳TSOP類型1，CPL2
– 63球VFBGA
詳細參數：MT29F1G08ABADAH4-IT:D
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期終止
IHS制造商MICRON TECHNOLOGY INC
包裝說明VFBGA，BGA63,10X12,32
達到合規性
工廠交貨期5周
風險等級6.24
最長訪問時間25 ns
命令用戶界面YES
數據數據
JESD-30代碼R-PBGA-B63
長度11毫米
內存密度1073741824位
內存集成電路類型FLASH
內存寬度8
功能數量1
部門數/規模1K
端子數量63
字數134217728詞
字數代碼128000000
工作模式
最高工作溫度85°C
最低工作溫度-40°C
組織128MX8
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼VFBGA
封裝等效代碼BGA63,10X12,32
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，非常薄的輪廓，精細的間距
頁面大小2K字
并行/串行PARALLEL
電源3.3 V
編程電壓3.3 V
認證狀態不合格
做好/忙碌是
座面最大高度1毫米
部門規模128K
最大休眠電流0.0001 A
子類別Flash回憶
最大壓擺率0.035 mA
最大電源電壓（Vsup）3.6 V
最小電源電壓（Vsup）2.7 V
標稱供電電壓（Vsup）3.3 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切換位
類型SLC NAND TYPE
寬度9毫米
