分類路徑半導體>存儲器>存儲器芯片>閃存
詳細參數:MT29F1G08ABBDAH4:D
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期已過時
IHS制造商MICRON TECHNOLOGY INC
包裝說明VFBGA，BGA63,10X12,32
達到合規性
風險等級8.49
最長訪問時間25 ns
命令用戶界面YES
數據數據
JESD-30代碼R-PBGA-B63
長度11毫米
內存密度1073741824位
內存集成電路類型FLASH
內存寬度8
功能數量1
部門數/規模1K
端子數量63
字數134217728詞
字數代碼128000000
工作模式
最高工作溫度70°C
最低工作溫度
組織128MX8
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼VFBGA
封裝等效代碼BGA63,10X12,32
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，非常薄的輪廓，精細的間距
頁面大小2K字
并行/串行PARALLEL
電源1.8 V
編程電壓1.8 V
認證狀態不合格
做好/忙碌是
座面最大高度1毫米
部門規模128K
最大休眠電流0.00005 A
子類別Flash回憶
最大壓擺率0.02 mA
最大電源電壓（Vsup）1.95 V
最小電源電壓（Vsup）1.7 V
標稱供電電壓（Vsup）1.8 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級商業
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切換位
類型SLC NAND TYPE
寬度9毫米
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