功能說明：MT46V32M16CY-5B IT:J
DDR SDRAM使用雙倍數據速率架構來實現高速操作。雙倍數據速率架構本質上是2n預取架構，其接口設計為每個時鐘周期在I / O引腳傳輸兩個數據字。單讀或
DDR SDRAM的寫訪問實際上包括內部DRAM內核處的單個2n位寬，一個時鐘周期的數據傳輸和兩個相應的I / O引腳上的n位寬，一個半時鐘周期的數據傳輸。
雙向數據選通（DQS）與數據一起在外部傳輸，以用于
在接收器處捕獲數據。 DQS是DDR SDRAM在
在寫入期間由存儲控制器讀取和讀取。 DQS與數據的邊緣對齊
讀取并與WRITE的數據居中對齊。 x16產品有兩個數據選通脈沖，
一個用于低位字節，一個用于高位字節。
DDR SDRAM從差分時鐘（CK和CK＃）運行；穿越CK
變高和CK＃變低將被稱為CK的上升沿。
命令（地址和控制信號）記錄在CK的每個上升沿。
輸入數據在DQS的兩個邊沿上注冊，輸出數據引用到兩個
DQS的邊緣以及CK的兩個邊緣。
對DDR SDRAM的讀寫訪問是面向突發的。訪問始于
選擇的位置，并在已編程的位置中繼續編程的數量的位置
順序。訪問從注冊活動命令開始，然后可能會注冊
后面跟一個READ或WRITE命令。注冊的地址位與
ACTIVE命令用于選擇要訪問的庫和行。地址
與READ或WRITE命令一致注冊的位用于選擇存儲體
以及突發訪問的起始列位置。
DDR SDRAM提供2、4或8的可編程READ或WRITE突發長度
位置。可以啟用自動預充電功能以提供自定時行
在突發訪問結束時啟動的預充電。
與標準SDR SDRAM一樣，DDR SDRAM的流水線多庫架構
允許并發操作，從而通過隱藏提供高有效帶寬
行預充電和激活時間。
提供自動刷新模式以及省電掉電模式。所有
輸入與SSTL_2的JEDEC標準兼容。所有全驅動器選件輸出
與II類SSTL_2兼容。
特征：MT46V32M16CY-5B IT:J
•VDD = 2.5V±0.2V，VDDQ = 2.5V±0.2V
VDD = 2.6V±0.1V，VDDQ = 2.6V±0.1V（DDR400）1
•雙向數據選通（DQS）傳輸/
接收到數據，即源同步數據
捕獲（x16有兩個–每個字節一個）
•內部流水線雙數據速率（DDR）
建筑;每個時鐘周期兩次數據訪問
•差分時鐘輸入（CK和CK＃）
•在每個CK上升沿輸入的命令
•DQS與讀取的數據邊緣對齊；與WRITE的數據居中對齊
•DLL使DQ和DQS過渡與CK對齊
•四個內部銀行可同時運行
•用于屏蔽寫入數據的數據屏蔽（DM）
（x16有兩個-每個字節一個）
•可編程突發長度：2，4或8
•自動刷新
– 64ms，8192個周期
•更長引線的TSOP，可提高可靠性（OCPL）
•2.5V I / O（兼容SSTL_2）
•支持并發自動預充電選項
•t
支持RAS鎖定（t
RAP = t
RCD）
制造商: Micron Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: SDRAM - DDR1
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: FBGA-60
數據總線寬度: 16 bit
組織: 32 M x 16
存儲容量: 512 Mbit
最大時鐘頻率: 200 MHz
電源電壓-最大: 2.7 V
電源電壓-最小: 2.5 V
電源電流—最大值: 85 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MT46V
封裝: Tray
商標: Micron
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 1368
子類別: Memory & Data Storage
